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Micron PARALLELO ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 l'IT di Merrillchip: P

Name: Micron PARALLELO ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 l'IT di Merrillchip: P
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: MT41K256M16TW-107 L'IT: P
Price: 2.98 USD
Availability: InStock

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: Stati Uniti

Marca: Micron

Numero di modello: MT41K256M16TW-107 L'IT: P

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Quantità di ordine minimo: 1

Prezzo: 0.98-5.68/PC

Imballaggi particolari: Standardrad

Termini di pagamento: D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacità di alimentazione: 10000 PCS a settimana

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Categoria di prodotto:	Microne	Serie:	MT41K256M16TW-107 L'IT: P
Stile di montaggio:	SMD/SMT	Confezione / Cassa:	TQFP-64
Core:	AVR	Dimensione della memoria del programma:	16 KB
Larghezza del bus dati:	8 bit	Risoluzione dell'ADC:	bit 10
Frequenza massima dell'orologio:	16 MHz	Numero di I/O:	Ingresso/uscita 54
Dati RAM Size:	1 KB	Tensione di alimentazione - Min:	1,8 V
Tensione di alimentazione - Max:	5,5 V	Temperatura minima di funzionamento:	- 40 C.
Temperatura massima di funzionamento:	+ 85 C	Imballaggio:	MouseReel
marca:	Micron	Dati RAM Type:	SRAM
Dati ROM Size:	512 B

Categoria di prodotto:	Microne
Serie:	MT41K256M16TW-107 L'IT: P
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Confezione / Cassa:	TQFP-64
Core:	AVR
Dimensione della memoria del programma:	16 KB
Larghezza del bus dati:	8 bit
Risoluzione dell'ADC:	bit 10
Frequenza massima dell'orologio:	16 MHz
Numero di I/O:	Ingresso/uscita 54
Dati RAM Size:	1 KB
Tensione di alimentazione - Min:	1,8 V
Tensione di alimentazione - Max:	5,5 V
Temperatura minima di funzionamento:	- 40 C.
Temperatura massima di funzionamento:	+ 85 C
Imballaggio:	MouseReel
marca:	Micron
Dati RAM Type:	SRAM
Dati ROM Size:	512 B

Micron PARALLELO ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 l'IT di Merrillchip: P

Merrillchip Connessione a circuito integrato memoria flash EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 I Micron PARALLELO ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 l'IT di Merrillchip: P 0

Micron PARALLELO ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 l'IT di Merrillchip: P 1

Micron PARALLELO ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 l'IT di Merrillchip: P 2

MT2M4M3M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M

La DDR3 SDRAM utilizza un'architettura a doppia velocità di trasmissione per ottenere un funzionamento ad alta velocità.
Architettura 8n-prefetch con un'interfaccia progettata per trasferire due parole di dati per ciclo di orologeria ai pin I/O.
Una singola operazione di lettura o scrittura per la DDR3 SDRAM consiste effettivamente in un singolo trasferimento di dati di 8n-bit di larghezza e di quattro cicli di ore
Il sistema è dotato di un sistema di memoria DRAM per il trasferimento di dati in un ciclo di mezzo orologio al core interno e di otto corrispondenti trasferimenti di dati a n-bit di larghezza e a un ciclo di mezza ora ai pin I/O.
Strobo di dati differenziale (DQS, DQS#) trasmesso esternamente, insieme ai dati, per l'uso nella cattura dei dati all'ingresso DDR3 SDRAM
DQS è allineato al centro con i dati per i WRITE.

Produttore:	Tecnologia Micron
Categoria di prodotto:	DRAM
RoHS:	Dettagli
Tipo:	SDRAM - DDR3L
Modello di montaggio:	SMD/SMT
Imballaggio / Valigia:	FBGA-96
Larghezza del bus dati:	16 bit
Organizzazione:	256 M x 16
Dimensione della memoria:	4 Gbit
Frequenza massima dell'orologio:	933 MHz
Tempo di accesso:	20 ns
Tensione di alimentazione - Max:	1.45 V
Tensione di alimentazione - Min:	1.283 V
Corrente di alimentazione - Max:	46 mA
Temperatura minima di funzionamento:	- 40 C.
Temperatura massima di funzionamento:	+ 95 C
Serie:	MT41K
Imballaggio:	Scaffale
Marca:	Microne
Sensibile all'umidità:	- Sì, sì.
Tipo di prodotto:	DRAM
Imballaggio di fabbrica Quantità:	1224
Sottocategoria:	Memoria e archiviazione dei dati
Peso unitario:	0.128468 once

Micron PARALLELO ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 l'IT di Merrillchip: P 4

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Micron PARALLELO ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 l'IT di Merrillchip: P 9

Domande frequenti

Q1:Sulla quotazione del BOM IC?A1:La società dispone dei canali di approvvigionamento dei produttori di circuiti integrati originali in patria e all'estero e di un team di analisi professionale delle soluzioni di prodotto per selezionare prodotti di alta qualità,componenti elettronici a basso costo per i clienti.
Q2:Citazione per le soluzioni PCB e PCBA? 
A2: il team professionale dell'azienda analizzerà la gamma di applicazioni delle soluzioni PCB e PCBA fornite dal cliente e i requisiti di parametro di ciascun componente elettronico,e, infine, fornire ai clienti soluzioni di quotazione di alta qualità e a basso costo.
Q3:Sulla progettazione del chip per il prodotto finito?
A3: Disponiamo di una serie completa di progetti di wafer, produzione di wafer, test di wafer, confezionamento e integrazione di IC e servizi di ispezione dei prodotti IC.
Q4:La nostra azienda ha un requisito di quantità minima di ordine (MOQ)?
A4: No, non abbiamo alcun requisito di MOQ, possiamo supportare i vostri progetti a partire dai prototipi alle produzioni di massa.
D5:Come garantire che le informazioni dei clienti non vengano trapelate? 
R5: Siamo disposti a firmare l'NDA in base alla legge locale del cliente e promettiamo di mantenere i dati dei clienti in alto livello di riservatezza.

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Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT

4GBIT mt41k256m16tw 107 p

Domande frequenti

IS61C3216 AL Micron ISSI Samsung,

Il CI ha integrato il chip VFBGA-63,

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