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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discretiDiodi rettificatoriDiodi singoli | stato del prodotto: | Attivo | Corrente - perdite inverse @ Vr: | 100 μA @ 100 V | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 690 mV @ 1 A | Pacchetto: | Nastro e bobina (TR) | Serie: | - | Capacità @ Vr, F: | 70pF @ 5V, 1MHz | Confezione del dispositivo del fornitore: | DO-213AB (MELF, LL41) | Mfr: | Tecnologia dei microchip | Tecnologia: | Norme | Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 125°C | Confezione / Cassa: | DO-213AB, MELF (vetro) | Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 100 V | Corrente - media rettificata (Io): | 1A | Velocità: | Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a: | 
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discretiDiodi rettificatoriDiodi singoli | 
| stato del prodotto: | Attivo | 
| Corrente - perdite inverse @ Vr: | 100 μA @ 100 V | 
| Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | 
| Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 690 mV @ 1 A | 
| Pacchetto: | Nastro e bobina (TR) | 
| Serie: | - | 
| Capacità @ Vr, F: | 70pF @ 5V, 1MHz | 
| Confezione del dispositivo del fornitore: | DO-213AB (MELF, LL41) | 
| Mfr: | Tecnologia dei microchip | 
| Tecnologia: | Norme | 
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 125°C | 
| Confezione / Cassa: | DO-213AB, MELF (vetro) | 
| Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 100 V | 
| Corrente - media rettificata (Io): | 1A | 
| Velocità: | Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a: | 
Diodo 100 V 1A Montaggio superficiale DO-213AB (MELF, LL41)