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JANS1N5416US Prodotti semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

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JANS1N5416US

,

JANS1N5416US Rettificatori di diodi

Categoria:
Prodotti di semiconduttori discretiDiodi rettificatoriDiodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 9 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/411
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
B, SQ-MELF
Tempo di recupero inverso (trr):
150 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, B
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discretiDiodi rettificatoriDiodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 9 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/411
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
B, SQ-MELF
Tempo di recupero inverso (trr):
150 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, B
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
JANS1N5416US Prodotti semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli

Diodo 100 V 3A Supporto di superficie B, SQ-MELF