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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANS1N6638/TR

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Descrizione: DIODE GP REV 150V 300MA DO35

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 nA @ 125 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 200 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo di recupero inverso (trr):
4,5 NS
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Polarità inversa standard
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 200°C
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
150 V
Corrente - media rettificata (Io):
300 mA
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 nA @ 125 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 200 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo di recupero inverso (trr):
4,5 NS
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Polarità inversa standard
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 200°C
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
150 V
Corrente - media rettificata (Io):
300 mA
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
JANS1N6638/TR
Diodo 150 V 300mA attraverso foro DO-35 (DO-204AH)