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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANS1N5615US

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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A A SQ-MELF

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 3 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
A, SQ-MELF
Tempo di recupero inverso (trr):
150 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, A
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 3 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
A, SQ-MELF
Tempo di recupero inverso (trr):
150 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, A
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
JANS1N5615US
Diodo 200 V 1A Montatura superficiale A, SQ-MELF