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Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 2A A SQ-MELF

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
975 mV @ 1 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
A, SQ-MELF
Tempo di recupero inverso (trr):
25 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, A
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
2A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
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stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
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Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
975 mV @ 1 A
Pacchetto:
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Confezione del dispositivo del fornitore:
A, SQ-MELF
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Confezione / Cassa:
SQ-MELF, A
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
2A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
UES1002SM-1
Diodo 100 V 2A Supporto di superficie A, SQ-MELF

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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