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JANTX1N5809URS

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
875 mV @ 4 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/477
Capacità @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
B, SQ-MELF
Tempo di recupero inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, B
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N5809
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
875 mV @ 4 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/477
Capacità @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
B, SQ-MELF
Tempo di recupero inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, B
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N5809
JANTX1N5809URS
Diodo 100 V 3A Supporto di superficie B, SQ-MELF