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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N6077

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIALE

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,76 V @ 18,8 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
A, assiale
Tempo di recupero inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 155°C
Confezione / Cassa:
A, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N6077
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,76 V @ 18,8 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
A, assiale
Tempo di recupero inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 155°C
Confezione / Cassa:
A, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N6077
1N6077
Diodo 100 V 1.3A attraverso foro A, asse