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JANTXV1N6628/TR
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Dettagli del prodotto

Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE GEN PURP 660V 1.75A

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 660 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.35 V @ 2 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/590
Capacità @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Tempo di recupero inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
E, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
660 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.75A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 660 V
Tipo di montaggio:
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Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
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Pacchetto:
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Serie:
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Capacità @ Vr, F:
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-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
E, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
660 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.75A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
JANTXV1N6628/TR
Diodo 660 V 1.75A attraverso buco

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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