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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
200 nA @ 50 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 15 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Codice di riferimento:
Capacità @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
U.B.
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
3-SMD, senza piombo
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
50 V
Corrente - media rettificata (Io):
33 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1N5711
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
200 nA @ 50 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 15 mA
Pacchetto:
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Serie:
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Capacità @ Vr, F:
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50 V
Corrente - media rettificata (Io):
33 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1N5711
JAN1N5711UB/TR
Diodo 50 V 33 mA Supporto di superficie UB

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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