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Descrizione: DIODE GP REV 660V 1.75A E-MELF

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 660 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.35 V @ 2 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
E-MELF
Tempo di recupero inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Polarità inversa standard
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, B
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
660 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.75A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
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stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 660 V
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Confezione / Cassa:
SQ-MELF, B
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
660 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.75A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
JAN1N6628US/TR
Diodo 660 V 1.75A Montatura superficiale E-MELF

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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