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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > JAN1N6630US
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Descrizione: DIODE GEN PURP 900V 1.4A D-5B

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 900 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.4 V @ 1.4 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/590
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-5B
Tempo di recupero inverso (trr):
50 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, E
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
900 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.4A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N6630
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 900 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.4 V @ 1.4 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/590
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
50 ns
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-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, E
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
900 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.4A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N6630
JAN1N6630US
Diodo 900 V 1.4A Montatura superficiale D-5B

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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