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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JAN1N6631U

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A D-5B

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
4 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 1,4 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/590
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-5B
Tempo di recupero inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Microsemi Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, E
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1000 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.4A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N6631
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
4 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 1,4 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/590
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-5B
Tempo di recupero inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Microsemi Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, E
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1000 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.4A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N6631
JAN1N6631U
Diodo 1000 V 1.4A Supporto di superficie D-5B