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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N4500/TR

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Descrizione: DIODE GEN PURP DO35

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 300 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/403
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo di recupero inverso (trr):
6 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Corrente - media rettificata (Io):
-
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 300 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/403
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo di recupero inverso (trr):
6 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Corrente - media rettificata (Io):
-
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
1N4500/TR
Diodo attraverso foro DO-35 (DO-204AH)