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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANTXV1N5420

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIALE

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 9 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/411
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
B, assiale
Tempo di recupero inverso (trr):
250 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
B, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N5420
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 9 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/411
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
B, assiale
Tempo di recupero inverso (trr):
250 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
B, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N5420
JANTXV1N5420
Diodo 600 V 3A attraverso foro B, asse