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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N6663/TR

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 600MA DO35

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 nA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 400 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF- 19500/587
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35 (DO-204AH)
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
600 mA
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 nA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 400 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF- 19500/587
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35 (DO-204AH)
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
600 mA
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
1N6663/TR
Diodo 600 V 600mA attraverso foro DO-35 (DO-204AH)