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JANTXV1N5622US/TR
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 nA @ 1 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 3 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/427
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-5A
Tempo di recupero inverso (trr):
2 μs
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 200°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, A
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1000 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
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Corrente - perdite inverse @ Vr:
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1000 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
JANTXV1N5622US/TR
Diodo 1000 V 1A Montatura superficiale D-5A

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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