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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N6661US/TR

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Descrizione: DIODE GEN PURP 225V A SQ-MELF

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 nA @ 225 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 400 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/587
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
A, SQ-MELF
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, A
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
225 V
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 nA @ 225 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 400 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/587
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
A, SQ-MELF
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, A
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
225 V
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
1N6661US/TR
Diodo 225 V di montaggio superficiale A, SQ-MELF