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1N6073/TR
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Termini di trasporto & di pagamento

Description: DIODE GEN PURP 50V 850MA

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
1 µA @ 50 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
2.04 V @ 9.4 A
Package:
Tape & Reel (TR)
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
A, Axial
Reverse Recovery Time (trr):
30 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 155°C
Package / Case:
A, Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
50 V
Current - Average Rectified (Io):
850mA
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
1 µA @ 50 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
2.04 V @ 9.4 A
Package:
Tape & Reel (TR)
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
A, Axial
Reverse Recovery Time (trr):
30 ns
Mfr:
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Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
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Package / Case:
A, Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
50 V
Current - Average Rectified (Io):
850mA
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
1N6073/TR
Diodo 50 V 850 mA attraverso foro A, asse

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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