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JANTX1N6631/TR

Dettagli del prodotto

Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE GEN PURP 2A E AXIALE

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
4 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,95 V @ 2 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/590
Capacità @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
E, assiale
Tempo di recupero inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
E, assiale
Corrente - media rettificata (Io):
2A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
4 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,95 V @ 2 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/590
Capacità @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
E, assiale
Tempo di recupero inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
E, assiale
Corrente - media rettificata (Io):
2A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
JANTX1N6631/TR
Diodo 2A attraverso foro E, asse