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Descrizione: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D-5B

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 220 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,35 V @ 1,2 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/590
Capacità @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-5B
Tempo di recupero inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, E
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
220 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.75A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 220 V
Tipo di montaggio:
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Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,35 V @ 1,2 A
Pacchetto:
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Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/590
Capacità @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
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Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, E
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
220 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.75A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
JAN1N6626US/TR
Diodo 220 V 1.75A Montatura di superficie D-5B

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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