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JAN1N6621US/TR

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 200MA D-5A

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 nA @ 75 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 100 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/116
Capacità @ Vr, F:
20,8 pF @ 1,5V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-5A
Tempo di recupero inverso (trr):
20 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 200°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, A
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
75 V
Corrente - media rettificata (Io):
200 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 nA @ 75 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 100 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/116
Capacità @ Vr, F:
20,8 pF @ 1,5V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-5A
Tempo di recupero inverso (trr):
20 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 200°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, A
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
75 V
Corrente - media rettificata (Io):
200 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
JAN1N6621US/TR
Diodo 75 V 200mA Supporto di superficie D-5A