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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > JAN1N6073
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Dettagli del prodotto

Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 850MA A-PAK

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 50 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
20,04 V @ 9,4 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/503
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
A, assiale
Tempo di recupero inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 155°C
Confezione / Cassa:
A, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
50 V
Corrente - media rettificata (Io):
850 mA
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N6073
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 50 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
20,04 V @ 9,4 A
Pacchetto:
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Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/503
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
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Confezione / Cassa:
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50 V
Corrente - media rettificata (Io):
850 mA
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N6073
JAN1N6073
Diodo 50 V 850 mA attraverso foro A, asse

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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