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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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Jan1N6624U

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Descrizione: DIODE GEN PURP 900V 1A D-5A

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 nA @ 900 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.55 V @ 1 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/585
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-5A
Tempo di recupero inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Microsemi Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, A
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
900 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N6624
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 nA @ 900 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.55 V @ 1 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/585
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-5A
Tempo di recupero inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Microsemi Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, A
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
900 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N6624
Jan1N6624U
Diodo 900 V 1A Supporto di superficie D-5A