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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N6621US/TR

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 2A D-5A

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 nA @ 400 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 2 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-5A
Tempo di recupero inverso (trr):
45 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, A
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
400 V
Corrente - media rettificata (Io):
2A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N6621
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 nA @ 400 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 2 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-5A
Tempo di recupero inverso (trr):
45 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, A
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
400 V
Corrente - media rettificata (Io):
2A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N6621
1N6621US/TR
Diodo 400 V 2A Supporto di superficie D-5A