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1N6631E3/TR
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Dettagli del prodotto

Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE GP REV 1.1KV 1.4A E AXIALE

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
4 μA @ 1100 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 1,4 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
E, assiale
Tempo di recupero inverso (trr):
80 NS
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Polarità inversa standard
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
E, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1100 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.4A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
4 μA @ 1100 V
Tipo di montaggio:
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Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
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Capacità @ Vr, F:
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Confezione / Cassa:
E, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1100 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.4A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
1N6631E3/TR
Diodo 1100 V 1.4A attraverso foro E, asse

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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