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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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UTR4360

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 4A B AXIALE

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 4 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
160 pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
B, assiale
Tempo di recupero inverso (trr):
400 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
B, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
4a
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 4 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
160 pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
B, assiale
Tempo di recupero inverso (trr):
400 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
B, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
4a
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
UTR4360
Diodo 600 V 4A attraverso foro B, asse