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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1.75A A-PAK

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.35 V @ 2 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
A, assiale
Tempo di recupero inverso (trr):
45 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
A, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.75A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
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Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 600 V
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A, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.75A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
1N6628/TR
Diodo 600 V 1.75A attraverso foro A, asse

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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