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JANTXV1N5186/TR
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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIALE

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 9 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/424
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
B, assiale
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
B, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N5186
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 9 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/424
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
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-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
B, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N5186
JANTXV1N5186/TR
Diodo 100 V 3A attraverso foro B, asse

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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