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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JAN1N3595AUS

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Descrizione: DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 nA @ 125 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
920 mV @ 100 mA
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/241
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo di recupero inverso (trr):
3 μs
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
125 V
Corrente - media rettificata (Io):
150 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1N3595
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 nA @ 125 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
920 mV @ 100 mA
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/241
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo di recupero inverso (trr):
3 μs
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
125 V
Corrente - media rettificata (Io):
150 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1N3595
JAN1N3595AUS
Diodo 125 V 150mA attraverso foro DO-35 (DO-204AH)