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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JAN1N5189

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 500V 3A B AXIALE

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 500 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
2 V @ 9 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Codice di registrazione
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
B, assiale
Tempo di recupero inverso (trr):
300 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
B, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
500 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N5189
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 500 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
2 V @ 9 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Codice di registrazione
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
B, assiale
Tempo di recupero inverso (trr):
300 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
B, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
500 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N5189
JAN1N5189
Diodo 500 V 3A attraverso foro B, asse