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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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FR12JR02

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
25 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Chassis, montaggio a cavallo
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
800 mV @ 12 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-4
Tempo di recupero inverso (trr):
250 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Polarità inversa standard
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
DO-203AA, DO-4, Stud
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
12A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
25 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Chassis, montaggio a cavallo
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
800 mV @ 12 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-4
Tempo di recupero inverso (trr):
250 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Polarità inversa standard
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
DO-203AA, DO-4, Stud
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
12A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
FR12JR02
Diodo 600 V 12A telaio, montatura DO-4