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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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GC20mps12-247

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Descrizione: DIODE SIL CARB 1.2KV 90A TO247-2

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
18 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 20 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
1298 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
90A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GC20MPS12
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
18 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 20 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
1298 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
90A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GC20MPS12
GC20mps12-247
Diodo 1200 V 90A attraverso foro TO-247-2