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Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 nA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 3 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/427
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
A, assiale
Tempo di recupero inverso (trr):
2 μs
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 200°C
Confezione / Cassa:
A, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N5620
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 nA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 3 A
Pacchetto:
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Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/427
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Confezione / Cassa:
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Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N5620
JANTXV1N5620
Diodo 800 V 1A attraverso foro A, asse

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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