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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N1190

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 50 V
Tipo di montaggio:
Chassis, montaggio a cavallo
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 35 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-5
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 190°C
Confezione / Cassa:
DO-203AB, DO-5, Stud
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
35A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N1190
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 50 V
Tipo di montaggio:
Chassis, montaggio a cavallo
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 35 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-5
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 190°C
Confezione / Cassa:
DO-203AB, DO-5, Stud
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
35A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N1190
1N1190
Diodo 600 V 35A telaio, montatura DO-5