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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A E3

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Descrizione di prodotto
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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 800 V
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 3 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/286
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
E3
Tempo di recupero inverso (trr):
5 μs
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Confezione / Cassa:
E3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 800 V
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
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Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 3 A
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Confezione / Cassa:
E3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
JANTX1N4248/TR
Diodo 800 V 1A E3

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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