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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 1 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
45pF @ 12V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
-
Tempo di recupero inverso (trr):
150 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
azionario
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
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Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 200 V
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Confezione / Cassa:
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Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
1N4942E3
Diodo 200 V 1A attraverso buco

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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