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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIALE
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli | stato del prodotto: | Attivo | Corrente - perdite inverse @ Vr: | 1 μA @ 200 V | Tipo di montaggio: | Attraverso il buco | Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 1.3 V @ 1 A | Pacchetto: | BOLTO | Serie: | Militare, MIL-PRF-19500/359 | Capacità @ Vr, F: | - | Confezione del dispositivo del fornitore: | A, assiale | Tempo di recupero inverso (trr): | 150 ns | Mfr: | Tecnologia dei microchip | Tecnologia: | Norme | Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 175°C | Confezione / Cassa: | A, assiale | Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 200 V | Corrente - media rettificata (Io): | 1A | Velocità: | Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a: | Numero del prodotto di base: | 1N4942 | 
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli | 
| stato del prodotto: | Attivo | 
| Corrente - perdite inverse @ Vr: | 1 μA @ 200 V | 
| Tipo di montaggio: | Attraverso il buco | 
| Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 1.3 V @ 1 A | 
| Pacchetto: | BOLTO | 
| Serie: | Militare, MIL-PRF-19500/359 | 
| Capacità @ Vr, F: | - | 
| Confezione del dispositivo del fornitore: | A, assiale | 
| Tempo di recupero inverso (trr): | 150 ns | 
| Mfr: | Tecnologia dei microchip | 
| Tecnologia: | Norme | 
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 175°C | 
| Confezione / Cassa: | A, assiale | 
| Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 200 V | 
| Corrente - media rettificata (Io): | 1A | 
| Velocità: | Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a: | 
| Numero del prodotto di base: | 1N4942 |