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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > SICRD101200
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Descrizione: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 10 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
640pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DPAK
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Soluzioni per diodi SMC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
10A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SICRD101200
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 10 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
640pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DPAK
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
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Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
10A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SICRD101200
SICRD101200
Diodo 1200 V 10A DPAK

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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