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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N649UR-1/TR

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Descrizione: DIODE GP 600V 400MA DO213AA

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 nA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 400 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-213AA
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-213AA (vetro)
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
400 mA
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 nA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 400 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-213AA
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-213AA (vetro)
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
400 mA
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
1N649UR-1/TR
Diodo 600 V 400 mA Supporto di superficie DO-213AA