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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SICRD10650CT

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Descrizione: DIODE SIL CARBIDE 650V 5A DPAK

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
60 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 5 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DPAK
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Soluzioni per diodi SMC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
5A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SICRD10650
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
60 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 5 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DPAK
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Soluzioni per diodi SMC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
5A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SICRD10650
SICRD10650CT
Diodo 650 V 5A DPAK