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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > IDK09G65C5XTMA2
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Descrizione: DIODE SIL CARB 650V 9A TO263-2

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Descrizione di prodotto
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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non per nuovi disegni
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10,6 mA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 9 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
270 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO263-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
9A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDK09G65
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non per nuovi disegni
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10,6 mA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 9 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
270 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO263-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
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Temperatura di funzionamento - Giunzione:
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Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
9A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDK09G65
IDK09G65C5XTMA2
Diodo 650 V 9A Montaggio superficiale PG-TO263-2

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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