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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > SICAC1060P-TP
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Descrizione di prodotto
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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
44 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 10 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
452 pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DFN5060
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Micro Commercial Co.
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
8-PowerTDFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
10A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SICAC1060
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
44 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 10 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
452 pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DFN5060
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Micro Commercial Co.
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
8-PowerTDFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
10A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SICAC1060
SICAC1060P-TP
Diodo 650 V 10A montato in superficie DFN5060

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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