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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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QH12BZ600

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Descrizione: DIODO GEN PURP 600V 12A TO263AB

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
250 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
3.1 V @ 12 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
QvelocitàTM
Capacità @ Vr, F:
34pF @ 10V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263AB
Tempo di recupero inverso (trr):
11.6 ns
Mfr:
Integrazioni di potenza
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
12A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
250 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
3.1 V @ 12 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
QvelocitàTM
Capacità @ Vr, F:
34pF @ 10V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263AB
Tempo di recupero inverso (trr):
11.6 ns
Mfr:
Integrazioni di potenza
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
12A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
QH12BZ600
Diodo di 600 V 12A montato in superficie TO-263AB