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Descrizione: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
L'ultima volta che ho comprato
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 8 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
267pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
5-DFN (8x8)
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttori di WeEn
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C (massimo)
Confezione / Cassa:
Piazzola esposta 4-VSFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
WNSC0
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
L'ultima volta che ho comprato
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 8 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
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Capacità @ Vr, F:
267pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
5-DFN (8x8)
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
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Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
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Confezione / Cassa:
Piazzola esposta 4-VSFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
WNSC0
WNSC08650T6J
Diodo 650 V 8A Superficie montata 5-DFN (8x8)

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

St ICS del microcontroller pungente 32

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