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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > FESB8ATHE3_A/P
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Descrizione: DIODO GEN PURP 50V 8A TO263AB

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 50 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
950 mV @ 8 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
85 pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263AB (D2PAK)
Tempo di recupero inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
50 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 50 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
950 mV @ 8 A
Pacchetto:
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Serie:
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Capacità @ Vr, F:
85 pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
35 ns
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Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
50 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
FESB8ATHE3_A/P
Diodo 50 V 8A montato in superficie TO-263AB (D2PAK)

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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