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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > QH03BZ600
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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
250 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
3 V @ 3 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
QvelocitàTM
Capacità @ Vr, F:
11pF @ 10V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263AB
Tempo di recupero inverso (trr):
9.8 ns
Mfr:
Integrazioni di potenza
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C (massimo)
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
250 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
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Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
3 V @ 3 A
Pacchetto:
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Serie:
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Capacità @ Vr, F:
11pF @ 10V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
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Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
QH03BZ600
Diodo 600 V 3A montato in superficie TO-263AB

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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