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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SF808G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AB

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 8 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
50 pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220AB
Tempo di recupero inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
TO-220-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
SF808
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 8 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
50 pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220AB
Tempo di recupero inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
TO-220-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
SF808
SF808G
Diodo 600 V 8A attraverso foro TO-220AB