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BAS16-02VE6327

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Descrizione: DIODE GP 80V 200MA SC79-2-1

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 75 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,25 V a 150 mA
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
BAS16
Capacità @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-SC79-2-1
Tempo di recupero inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C
Confezione / Cassa:
SC-79, SOD-523
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
80 V
Corrente - media rettificata (Io):
200 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
BAS16
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 75 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,25 V a 150 mA
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
BAS16
Capacità @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-SC79-2-1
Tempo di recupero inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C
Confezione / Cassa:
SC-79, SOD-523
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
80 V
Corrente - media rettificata (Io):
200 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
BAS16
BAS16-02VE6327
Diodo 80 V 200 mA Supporto di superficie PG-SC79-2-1