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GAP3SLT33-220FP

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Descrizione: DIODE SIC 3.3KV 300MA TO220FP

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non per nuovi disegni
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 3300 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 300 mA
Pacchetto:
Tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
42pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220FP
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
Pacchetto completo TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
3300 V
Corrente - media rettificata (Io):
300 mA
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GAP3SLT33
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non per nuovi disegni
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 3300 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 300 mA
Pacchetto:
Tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Capacità @ Vr, F:
42pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220FP
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
Pacchetto completo TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
3300 V
Corrente - media rettificata (Io):
300 mA
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
GAP3SLT33
GAP3SLT33-220FP
Diodo 3300 V 300mA attraverso foro TO-220FP